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21ic 日前獲悉，印度財政部長 Nirmala·Sitharaman 前不久表示，印度正在優(yōu)先考慮通過擴大與生產(chǎn)相關(guān)的激勵計劃(PLI)將半導(dǎo)體和零部件納入其中來吸引更多印度投資，制定了一項高達兩千億盧比的芯片制造計劃，預(yù)計首批印度制造的芯片將于明年年底出爐。

據(jù)悉，印度內(nèi)閣批準(zhǔn)這項 2500 億盧比(約 30.5 億美金)的計劃用于增強該國的半導(dǎo)體制造，印度官方表示將放寬各種限制以確保營商更加便利并吸引更多投資，不斷增加的投資機會。

2022 年 9 月，印度內(nèi)閣批準(zhǔn)了印度半導(dǎo)體制造激勵計劃，總支出高達 7600 億盧比(約 92.7 億美金)，允許對跨技術(shù)節(jié)點和顯示器制造的半導(dǎo)體工廠提供 50% 項目成本的統(tǒng)一財政支持，該激勵計劃還將對化合物半導(dǎo)體、封裝和其他半導(dǎo)體設(shè)施的財政支持從之前的 30% 提高到 50%。

在此之前，印度對半導(dǎo)體晶圓廠的激勵措施是基于節(jié)點的規(guī)模，比如 45~65nm 工藝節(jié)點獲得項目成本 30% 的獎勵，28~45nm 工藝節(jié)點獲得項目成本 40% 的獎勵......而且只有 28nm 以下工藝節(jié)點才能獲得 50% 的財政支持，新的激勵政策則使所有晶圓廠都可以獲得 50% 的財務(wù)激勵。

除此之外，Nirmala Sitharaman 還強調(diào)政府的首要任務(wù)是通過 PLI 計劃激勵和促進對印度的投資，該計劃正在從最初的 14 個行業(yè)不斷擴展，包括半導(dǎo)體和太陽能組件等。

在上周莫迪訪美并與美國總統(tǒng)拜登發(fā)表聯(lián)合聲明后，印度通信和 IT 部長 Ashwini Vaishnaw 隨即表示，首批印度制造芯片預(yù)計將于 2024 年 12 月推出，而且預(yù)計今年一年內(nèi)將設(shè)立 4~5 家半導(dǎo)體工廠。

據(jù)悉，美國存儲芯片巨頭美光在古吉拉特邦設(shè)立半導(dǎo)體工廠的土地分配、工廠設(shè)計工作和稅務(wù)合規(guī)相關(guān)協(xié)議已經(jīng)完成，首款印度制造芯片預(yù)計將在大約六個季度內(nèi)問世。該項目投資為 27.5 億美元(約合 2254 億盧比)，該工廠的總成本包括美光公司的 8.25 億美元和政府分兩期提供。