第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文
宜興市委宣傳部消息，中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑硅片項(xiàng)目、中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期、無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項(xiàng)目迎來新進(jìn)展。
(相關(guān)資料圖)
中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑硅片項(xiàng)目
總投資30億美元的中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑硅片項(xiàng)目一期已經(jīng)投產(chǎn)，二期部分投產(chǎn)，全部達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)8英寸硅片900萬片、12英寸硅片420萬片的產(chǎn)能。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，“中環(huán)系”已在宜興市投資約500億元。
中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期
今年3月開工的總投資59億元的中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期，目前正在加快推進(jìn)建設(shè)，計(jì)劃年內(nèi)主體工程封頂，預(yù)計(jì)2024年底投產(chǎn)。該項(xiàng)目產(chǎn)品主要用于新能源汽車領(lǐng)域，達(dá)產(chǎn)后可新增年產(chǎn)36萬片中低壓組件基材的生產(chǎn)能力，滿足每年300萬臺新能源汽車或300GW新能源發(fā)電裝機(jī)需求。
無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項(xiàng)目
總投資103億元的無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項(xiàng)目廠房已經(jīng)封頂，預(yù)計(jì)年內(nèi)一期竣工投產(chǎn)。去年4月，無錫海容電子超級陶瓷電容器與智能傳感器制造項(xiàng)目開工儀式在無錫宜興舉行。該項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，將年產(chǎn)4000億只高壓高容多層片式電容器、200萬只氮氧傳感器、1億只汽車傳感器等。
來源：集微網(wǎng)
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的核心材料，在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中被列為重點(diǎn)；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風(fēng)電、光伏、新能源汽車、儲能等行業(yè)應(yīng)用前景廣闊。
據(jù)行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)測，到2026年，碳化硅產(chǎn)品市場將達(dá)35億美元，氮化鎵功率產(chǎn)品市場需求增長到21億美元。近年來，國內(nèi)企業(yè)如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項(xiàng)目，全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。
在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應(yīng)用需求，意法半導(dǎo)體領(lǐng)先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環(huán)節(jié)技術(shù)含量密集，是投資和創(chuàng)新重點(diǎn)。碳化硅6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)穩(wěn)定導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)，8英寸襯底正在探索商業(yè)化量產(chǎn)，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進(jìn)最為迅速，國內(nèi)企業(yè)在提供樣品或小規(guī)模供貨階段。
第三代半導(dǎo)體技術(shù)與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點(diǎn)關(guān)注碳化硅、氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈前景，最新襯底、外延、器件技術(shù)與項(xiàng)目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術(shù)，凈化工程與EPC，新興化合物半導(dǎo)體前沿技術(shù)與應(yīng)用。參觀第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)企業(yè)與項(xiàng)目。
會議主題包括但不限于
國際形勢對中國第三代半導(dǎo)體發(fā)展的影響
第三代半導(dǎo)體市場及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇
6寸與8寸SiC項(xiàng)目投資與市場需求
SiC長晶工藝技術(shù)與設(shè)備
凈化工程與EPC工程項(xiàng)目實(shí)踐
8英寸SiC國產(chǎn)化進(jìn)程和技術(shù)突破
SiC市場以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案
SiC與GaN外延片技術(shù)進(jìn)展
大尺寸GaN長晶難點(diǎn)及技術(shù)展望
GaN材料技術(shù)進(jìn)展
SiC與GaN器件與下游應(yīng)用
功率器件封裝技術(shù)與材料
新興化合物半導(dǎo)體進(jìn)展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅
工業(yè)參觀與考察（重點(diǎn)企業(yè)或園區(qū)）
最新日程如下
會議日程 |
寬禁帶器件應(yīng)用中的機(jī)遇與挑戰(zhàn)（題目暫定） ——廈門三安光電有限公司（已定） |
中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局情況（題目暫定） ——中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（已定） |
SiC單晶生長技術(shù)淺析及應(yīng)用展望（題目暫定） ——山西爍科晶體有限公司（已定） |
國產(chǎn)碳化硅功率器件機(jī)遇和挑戰(zhàn)（題目暫定） ——安徽芯塔電子科技有限公司（已定） |
國產(chǎn)SiC MOSFET發(fā)展要點(diǎn)淺析 ——泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽車半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET解決方案（題目暫定） ——深圳基本半導(dǎo)體有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅單晶工藝控制 ——山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶體的生長技術(shù)，PVT法及液相法 ——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圓制造技術(shù)難點(diǎn) ——上海積塔半導(dǎo)體有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景 ——南方科技大學(xué)（待定） |
氮化鎵同質(zhì)外延功率/射頻器件應(yīng)用與相關(guān)單晶襯底制備技術(shù)的研發(fā)進(jìn)展 ——東莞中鎵半導(dǎo)體科技有限公司（待定） |
中國第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈現(xiàn)狀 ——廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（待定） |
GaN在車用功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 ——蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司（待定） |
*以上演講報(bào)告列表將隨著會議邀請工作進(jìn)展不斷更新，最終版以會場發(fā)布為準(zhǔn)。
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中國大陸半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目表（月度更新）
中國大陸再生晶圓項(xiàng)目表（月度更新）
中國大陸8英寸晶圓廠項(xiàng)目表（月度更新）
中國大陸12英寸晶圓廠項(xiàng)目表（月度更新）
中國大陸半導(dǎo)體封測項(xiàng)目表（月度更新）
中國大陸電子特氣項(xiàng)目表（月度更新）
中國大陸半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品項(xiàng)目表（月度更新）
中國大陸晶圓廠當(dāng)月設(shè)備中標(biāo)數(shù)據(jù)表（月度更新）
中國大陸上月半導(dǎo)體前道設(shè)備進(jìn)口數(shù)據(jù)表（月度更新）
中國大陸半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目地圖（月度更新）
中國大陸8英寸晶圓廠項(xiàng)目地圖（月度更新）
中國大陸12英寸晶圓廠項(xiàng)目地圖（月度更新）
中國大陸半導(dǎo)體封測項(xiàng)目分布圖（月度更新）
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