國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商正在快速崛起。8月4日盤后，盛美上海披露2023年半年報(bào)，上半年盛美上海營(yíng)收16.10億元，同比增長(zhǎng)46.94%；凈利潤(rùn)4.39億元，同比增長(zhǎng)85.74%，扣非凈利潤(rùn)4.06億元，同比增長(zhǎng)57.88%。

憑借出色的原始創(chuàng)新能力，目前盛美上海的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋國(guó)內(nèi)大部分半導(dǎo)體制造商，并正在持續(xù)獲得國(guó)際客戶訂單。

(資料圖)

業(yè)績(jī)高速增長(zhǎng)

2022年以來，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下行周期。2023年以來，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)整體財(cái)務(wù)表現(xiàn)不佳。不過，盛美上海上半年卻錄得較好的業(yè)績(jī)表現(xiàn)，營(yíng)收、凈利潤(rùn)雙雙大幅增長(zhǎng)。

對(duì)于營(yíng)收高速增長(zhǎng)，盛美上海表示，主要原因是新客戶拓展、新市場(chǎng)開發(fā)等方面均取得一定成效和新產(chǎn)品得到客戶認(rèn)可，訂單量穩(wěn)步增長(zhǎng)。

而凈利潤(rùn)高速增長(zhǎng)，一方面是因?yàn)楣局鳡I(yíng)業(yè)務(wù)收入和毛利增長(zhǎng)，其中2023年1-6月半導(dǎo)體清洗設(shè)備以及其他半導(dǎo)體設(shè)備（電鍍、立式爐管等設(shè)備）的營(yíng)業(yè)收入均有較大增長(zhǎng)；另一方面，企業(yè)投資收益、非經(jīng)常性損益也對(duì)凈利潤(rùn)增長(zhǎng)有所貢獻(xiàn)。

盛美上海認(rèn)為，近年來，盡管中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)因宏觀環(huán)境等原因受到了些許影響，但中國(guó)仍是全球第一大半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)。2023年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展外部環(huán)境更加嚴(yán)峻，雖然對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體裝備行業(yè)帶來很大的影響，但同時(shí)也帶來了前所未有的機(jī)遇，將不斷促進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

將“挑戰(zhàn)”化為“機(jī)遇”，靠的是硬實(shí)力。據(jù)了解，盛美上海一直致力于為全球集成電路行業(yè)提供先進(jìn)的設(shè)備及工藝解決方案，堅(jiān)持差異化國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)和原始創(chuàng)新的發(fā)展戰(zhàn)略，通過自主研發(fā)，建立了較為完善的知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系，憑借豐富的技術(shù)和工藝積累，形成了具有國(guó)際領(lǐng)先或先進(jìn)水平的前道半導(dǎo)體工藝設(shè)備。

以清洗設(shè)備為例，上市公司自主研發(fā)的TEBO清洗設(shè)備，可適用于28nm及以下的圖形晶圓清洗。在器件結(jié)構(gòu)從2D轉(zhuǎn)換為3D的技術(shù)轉(zhuǎn)移中，可應(yīng)用于更為精細(xì)的具有3D結(jié)構(gòu)的FinFET、DRAM和新興3D NAND等產(chǎn)品，以及未來新型納米器件和量子器件等，在提高客戶產(chǎn)品良率方面發(fā)揮越來越重要的作用。

持續(xù)拓展新客戶

值得注意的是，盛美上海在客戶拓展上取得了優(yōu)異的成績(jī)，這將為上市公司未來業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)奠基。

2023年2月，盛美上海首次獲得了歐洲全球性半導(dǎo)體制造商的12腔單片SAPS兆聲波清洗設(shè)備采購(gòu)訂單，該設(shè)備配置了公司自主研發(fā)的空間交變相位移（SAPS）技術(shù)。

2023年3月，公司首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購(gòu)訂單，該平臺(tái)還可配置公司自主研發(fā)的空間交變相位移（SAPS）技術(shù)，可在不損傷器件的前提下實(shí)現(xiàn)更全面的清洗。此外，2023年上半年公司還拓展了多家國(guó)內(nèi)客戶。

除了已有國(guó)內(nèi)主流客戶的重復(fù)訂單外，盛美上海2023年上半年，新增了中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商等客戶。

持續(xù)拓展新客戶，這離不開盛美上海持續(xù)的研發(fā)投入，以及多項(xiàng)國(guó)際領(lǐng)先的技術(shù)。

據(jù)悉，盛美上海SAPS技術(shù)目前已應(yīng)用于邏輯28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)及DRAM 19nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，并可拓展至邏輯芯片14nm、DRAM 17/16nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)、32/64/128層3DNAND、高深寬比的功率器件及TSV深孔清洗應(yīng)用，在DRAM上有70多步應(yīng)用，而在邏輯電路FinFET結(jié)構(gòu)清洗中有近20步應(yīng)用。

其TEBO技術(shù)主要針對(duì)45nm及以下圖形晶圓的無損傷清洗，目前已應(yīng)用于邏輯芯片28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，已進(jìn)行16-19nm DRAM工藝圖形晶圓的清洗工藝評(píng)估，并可拓展至14nm邏輯芯片及nm級(jí)3D FinFET結(jié)構(gòu)、高深寬比DRAM產(chǎn)品及多層堆疊3D NAND等產(chǎn)品中，在DRAM上有70多步應(yīng)用，而在邏輯電路FinFET結(jié)構(gòu)清洗中有10多步應(yīng)用。

值得一提的是，大模型的火熱帶動(dòng)了CoWoS先進(jìn)封裝的產(chǎn)能。而這類先進(jìn)封裝，離不開硅通孔TSV技術(shù)。而盛美上海已推出應(yīng)用于填充3d硅通孔TSV和2.5d轉(zhuǎn)接板的三維電鍍?cè)O(shè)備Ultra ECP 3d?；谑⒚腊雽?dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備的平臺(tái)，該設(shè)備可為高深寬比（深寬比大于10:1）銅應(yīng)用提供高性能、無孔洞的鍍銅功能。為提高產(chǎn)能而做的堆疊式腔體設(shè)計(jì)，該設(shè)備還能減少消耗品的使用，降低成本，節(jié)省設(shè)備使用面積。

事實(shí)上，后道先進(jìn)封裝，正是依賴于凸塊、再布線、硅通孔等技術(shù)。盛美上海電鍍技術(shù)，在這些領(lǐng)域均有應(yīng)用。公司在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域進(jìn)行差異化開發(fā)，解決了在更大電鍍液流量下實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)電鍍的難題。采用獨(dú)創(chuàng)的第二陽(yáng)極電場(chǎng)控制技術(shù)更好地控制晶圓平邊或缺口區(qū)域的膜厚均勻性控制，實(shí)現(xiàn)高電流密度條件下的電鍍，凸塊產(chǎn)品的各項(xiàng)指標(biāo)均滿足客戶要求。在針對(duì)高密度封裝的電鍍領(lǐng)域可以實(shí)現(xiàn)2um超細(xì)RDL線的電鍍以及包括銅、鎳、錫、銀和金在內(nèi)的各種金屬層電鍍。自主開發(fā)的橡膠環(huán)密封專利技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更好的密封效果。

從清洗設(shè)備到電鍍?cè)O(shè)備，從立式爐管到涂膠顯影，再到PECVD，盛美上海在半導(dǎo)體設(shè)備多個(gè)領(lǐng)域均有豐厚的技術(shù)儲(chǔ)備及產(chǎn)品推出。

在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，盛美上海無疑為一顆冉冉升起的新星。

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