走過長達一年半時間的下行通道，存儲芯片賽道有望迎來“寒氣散盡”之時。

“從7月開始，NAND上游廠商有明顯的提價意愿，部分主控芯片需求迫切?！比A南一家存儲芯片代理商人士近日向記者坦言。而在現(xiàn)貨市場，根據(jù)機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，從6月開始DRAM價格止跌，已經(jīng)連2個月呈現(xiàn)持平，這是自2022年3月以來首次出現(xiàn)這種情況。

(資料圖)

市場普遍認為，主因部分產(chǎn)品需求出現(xiàn)復蘇跡象，疊加包括海力士、三星在內(nèi)的存儲芯片大廠減產(chǎn)，過剩情況得以消解，DRAM價格有觸底的可能。業(yè)內(nèi)多方似乎正逐漸形成共識，即存儲賽道周期底部已逐漸形成，三季度有望迎來拐點。

在A股市場上，多家存儲芯片上市公司股價也出現(xiàn)大幅上漲。截至8月1日午盤，朗科科技股價上漲11.48%，精智達漲逾10%，而同有科技也一度漲逾6%。

有現(xiàn)貨價格連續(xù)兩月持平

存儲芯片是半導體市場最主要的細分領域，主要分為閃存和內(nèi)存，閃存包括NAND Flash和NOR Flash，內(nèi)存主要為DRAM。

其中，DRAM和NAND Flash兩者的銷售額合計占整個存儲市場的97%左右。手機、服務器、PC是存儲三大終端應用，2022年四季度分別占DRAM終端應用的39%、34%、13%，以及NANDFlash的37%、28%、18%。

從2022年年初開始，受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片市場進入了下行周期。

不過，近期以來，底部特征已經(jīng)逐漸明顯。根據(jù)TrendForce最新數(shù)據(jù)顯示，7月DRAM平均固定交易價格環(huán)比下跌1.47%。這一降幅較6月進一步收窄，在6月份，DRAM平均固定交易價格環(huán)比下跌2.86%。

而在現(xiàn)貨市場，部分DRAM產(chǎn)品已經(jīng)止跌。根據(jù)DRAMeXchange數(shù)據(jù)，最常見的DRAM產(chǎn)品DDR4 16Gb 2600的現(xiàn)貨從6月開始價格已經(jīng)止跌，已經(jīng)連2個月呈現(xiàn)持平，這是自2022年3月以來首次出現(xiàn)這種情況。

實際上，記者采訪的多位業(yè)內(nèi)人士也有同感。前述代理商人士告訴記者，在NAND Flash領域，上游原廠有強烈的意愿從7月開始提高價格?！澳壳安糠諲AND主控芯片需求迫切，部分型號甚至出現(xiàn)了供不應求的狀況，這反映了市場正在逐步回暖。”該人士稱。

另一位業(yè)內(nèi)人士也對記者表示，近期部分NAND供應短缺，主要是一些工業(yè)用產(chǎn)品或高端應用，如UFS、PCIe產(chǎn)品，這正是市場反彈的信號。而在DRAM方面，該人士預計，合約價格預計將在短期內(nèi)保持穩(wěn)定，因為大多數(shù)上游廠商在與客戶就第三季度供應進行談判時一直在阻止降價發(fā)生。

兩大巨頭繼續(xù)削減產(chǎn)能

較為微妙的是，近期包括海力士、三星在內(nèi)的存儲芯片巨頭，均發(fā)出較為樂觀的三季度指引。

海力士預計，Q3 DRAM出貨量預期環(huán)增 10%-15%，NAND出貨量環(huán)平，其計劃擴大176層SSD產(chǎn)品銷售。而三星同樣預計，DRAM銷售預計增長約15%，NAND市場出貨量增加 5-10%，而且其NAND出貨量增長略高于市場預期。

而且，兩大存儲芯片巨頭仍在持續(xù)減產(chǎn)。海力士表示將繼續(xù)推進減產(chǎn)計劃。從資本開支來看，海力士資本開支于去年三季度開始便持續(xù)下降。今年海力士資本開支同比將下降50%以上，其中由于NAND行業(yè)庫存較高且利潤率較低，NAND將進行更大幅度減產(chǎn)。

三星方面也稱，該公司將在今年下半年繼續(xù)削減產(chǎn)能。此外，為了加速存儲產(chǎn)品的庫存正?；钦x擇性的對某些DRAM和NAND產(chǎn)品進行額外的生產(chǎn)調(diào)整。同時，由于三星預計NAND市場價格的反彈時間將晚于DRAM市場，其將對NAND產(chǎn)品減產(chǎn)幅度更大。

不難看出，兩大巨頭在減產(chǎn)方面行動一致，這也將加速存儲市場價格企穩(wěn)。

近期在A股市場上，存儲芯片行業(yè)上市公司也對后期市場走向作出研判。其中香農(nóng)芯創(chuàng)方面表示，該公司目前部分產(chǎn)品下游需求和價格有所回升，公司預計存儲芯片的價格目前在底部區(qū)域，下半年價格會重回上升趨勢。

而江波龍也在機構(gòu)調(diào)研中稱，自各大國際原廠紛紛宣布減產(chǎn)后，減產(chǎn)效應對下游市場產(chǎn)生了影響，但原廠的存儲晶圓價格策略與市場的接受程度正處于關鍵博弈階段。

高端存儲價格有望率先開漲

實際上，盡管目前行業(yè)初步出現(xiàn)底部特征，但機構(gòu)普遍較為看好下半年的存儲市場。中航證券方面也認為，隨著國際存儲巨頭相繼宣布削減資本開支并減產(chǎn)，以減少行業(yè)供應，加速修復存儲市場供需平衡。

該機構(gòu)認為，大廠的減產(chǎn)動作在下半年會逐漸顯現(xiàn)成效。隨著終端客戶和渠道商的庫存逐步緩解，存儲廠商拒絕再降價出售甚至詢單報價頻傳上漲，定價趨勢向好，Q3部分新一代存儲產(chǎn)品有望率先迎來上漲。

中信證券也認為，當前存儲價格底部明確，高端產(chǎn)品價格有望率先回暖。在該機構(gòu)看來，隨供給側(cè)海外原廠稼動率調(diào)整效果在今年下半年逐步顯現(xiàn)，并且隨品牌廠商新產(chǎn)品發(fā)布和消費傳統(tǒng)旺季到來，下游需求有望逐步回暖，存儲供需關系將持續(xù)改善，帶動整體存儲價格溫和回升，高端存儲價格有望率先開啟漲勢。

需要注意的是，隨著AI服務器需求暴增，進而帶動了HBM需求（高帶寬內(nèi)存），這一領域，市場屬于供不應求狀態(tài)。

HBM是一種新興的標準動態(tài)隨機訪問存儲器解決方案，旨在解決系統(tǒng)內(nèi)存帶寬的瓶頸，其具有基于TSV和芯片堆疊技術(shù)的堆疊DRAM架構(gòu)，可以實現(xiàn)高于256GBps的突破性帶寬，同時降低功耗。

但受制于高技術(shù)壁壘，目前全球僅海力士、三星、美光能夠穩(wěn)定供應（根據(jù)TrendForce，2022 年三家份額分別為50%/40%/10%），國內(nèi)企業(yè)尚處于技術(shù)儲備期。

其中，海力士二季度包括HBM在內(nèi) graphics DRAM銷售占比超20%，HBM的產(chǎn)能正迅速擴張（去年四季度占比僅10%），正是由于AI引發(fā)的高端服務器需求迅速增長。

而三星正向主要客戶提供HBM2與HBM2E產(chǎn)品，而在HBM3中，三星正在接受客戶資格認證，并計劃在今年下半年推出HBM3E產(chǎn)品。更為重要的是，三星計劃在2024年將HBM產(chǎn)能提升至2023年2倍。

民生證券認為，存儲周期拐點共識已逐漸形成，未來隨著AI帶動HBM、DDR5需求，將加速板塊上行。

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