指標(biāo)性DRAM產(chǎn)品價(jià)格止跌持平 存儲芯片最黑暗期已過?
2023-09-28 08:15:55 來源:金融界
存儲芯片廠商和設(shè)備商確定的8月交易價(jià)格中,指標(biāo)性產(chǎn)品8GB DDR4價(jià)格連續(xù)第四個(gè)月環(huán)比持平。TrendForce預(yù)計(jì),Q4 NAND閃存定價(jià)有望增長3%-8%,高于此前預(yù)估的0%-5%。原廠已通知Q4將調(diào)漲合約價(jià),NAND閃存與DRAM漲幅幾乎都高于10%。
(資料圖)
存儲芯片銷售正在走出最糟糕時(shí)期。
得益于各大存儲芯片廠相繼開啟減產(chǎn),產(chǎn)業(yè)過剩情況緩解,同時(shí)行情跌勢才下剎車。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道,DRAM價(jià)格已經(jīng)止跌。存儲芯片制造商和設(shè)備制造商確定的8月交易價(jià)格中,指標(biāo)性產(chǎn)品8GB DDR4價(jià)格為每塊1.48美元左右,已是連續(xù)第四個(gè)月環(huán)比持平。
日本三井住友信托銀行以三星、SK海力士、美光、西部數(shù)據(jù)存貨為基礎(chǔ),計(jì)算得出平均庫存周轉(zhuǎn)天數(shù):今年4-6月這四家公司平均庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)為151天,較此前2022年10-12月的峰值縮短了4%——彼時(shí)周轉(zhuǎn)天數(shù)達(dá)到158天,為過去十年來最高水平。
NAND Flash晶圓合約價(jià)格已在8月開始反彈,并在9月繼續(xù)上漲,業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)四季度也有望保持漲勢。
TrendForce日前發(fā)布的最新報(bào)告也指出,隨著主要存儲芯片廠商持續(xù)減產(chǎn),市場去庫存效果已經(jīng)顯現(xiàn),預(yù)計(jì)四季度NAND Flash定價(jià)有望增長3%-8%,高于此前預(yù)估的0%-5%。
隨著NAND Flash價(jià)格回暖,DRAM價(jià)格也有望迎來上漲。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì),DRAM將于今年四季度開始上漲,標(biāo)志著新一輪增長周期的開始。并且,DRAM 價(jià)格上漲不僅是由于減產(chǎn)和庫存清倉等因素,還與人工智能市場有關(guān):受AI應(yīng)用驅(qū)動,數(shù)據(jù)中心市場對DDR5需求上升。
值得一提的是,據(jù)臺媒上周消息,近期屬合約市場下游的廠商,已接獲原廠通知,Q4將調(diào)漲合約價(jià)。按照原廠發(fā)出的通知,不同產(chǎn)品漲幅不同,但漲幅幾乎都在雙位數(shù)百分比水平,其中NAND閃存Q4合約價(jià)有望漲一至兩成,DRAM則約漲一成。
業(yè)界人士評估,此番原廠漲價(jià)的立場堅(jiān)定明確,有可能是因?yàn)槭稚弦盐沼写髲S大單,產(chǎn)能已有特定訂單可消耗,看準(zhǔn)供需有望出現(xiàn)缺口,因此有底氣一口氣喊出漲價(jià),也有望終結(jié)這一波存儲芯片的量縮價(jià)跌走勢。
從行業(yè)供給端來看,已有部分廠商調(diào)降投片量,并下調(diào)2023年資本開支及產(chǎn)能提升預(yù)期。中信證券預(yù)計(jì),2023年行業(yè)供給增速將低于需求增速,供需將逐步達(dá)到平衡,有助于庫存修復(fù),看好存儲板塊周期2023年下半年見底。
需求端而言,分析師認(rèn)為目前終端廠商已處于去庫存的后期,全年出貨有望呈現(xiàn)前低后高,看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趨勢:1)服務(wù)器端,預(yù)計(jì)Q3需求有望實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長,看好下半年DDR5服務(wù)器端需求提升,且AI服務(wù)器DRAM和NAND的容量需求分別是傳統(tǒng)的6~8倍和3倍;2)PC端,預(yù)計(jì)今年P(guān)C出貨同比下滑低兩位數(shù);3)手機(jī)及智能終端,預(yù)計(jì)今年智能手機(jī)出貨同比下降中個(gè)位數(shù),年內(nèi)前低后高,庫存逐季改善;4)汽車端穩(wěn)健增長,預(yù)計(jì)Q3工業(yè)市場初步復(fù)蘇,行業(yè)庫存及需求下半年有望持續(xù)改善。
總體上,其預(yù)計(jì)下半年隨著庫存去化,需求逐步回歸,行業(yè)細(xì)分龍頭有望迎來業(yè)績修復(fù)機(jī)會,看好國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈周期復(fù)蘇疊加本土化趨勢下的投資機(jī)遇,建議關(guān)注:1)存儲模組;2)存儲芯片設(shè)計(jì);3)存儲配套芯片。
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