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根據(jù)集邦咨詢報(bào)道，伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預(yù)估NAND Flash價(jià)格回暖之后，DRAM價(jià)格也會上漲。近期上游存儲資源價(jià)格進(jìn)一步上調(diào)，NAND漲價(jià)行情擴(kuò)散至小容量256Gb NAND Wafer，1Tb/512Gb/256GbTLC NAND Flash分別調(diào)漲至3.65/1.80/1.03美元。

NAND閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，8月NANDFlash芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈，9月繼續(xù)上漲。截止9月底，存儲原廠減產(chǎn)時間已達(dá)6-12個月，而預(yù)計(jì)持續(xù)到2024年的減產(chǎn)，意味著原廠減產(chǎn)時長將長達(dá)至少9-15個月。隨著減產(chǎn)效果越來越顯著，原廠強(qiáng)勢拉漲的決心強(qiáng)烈，上游資源供應(yīng)明顯趨緊，部分資源在現(xiàn)貨市場上供不應(yīng)求。

市場專家還預(yù)測，NAND閃存價(jià)格將在第4季度繼續(xù)上漲。集邦咨詢對第4季度NAND閃存價(jià)格持樂觀態(tài)度，估計(jì)增長約3%至8%，高于最初預(yù)測的0%至5%。DRAM的復(fù)蘇要稍微晚一些，預(yù)估將于今年第4季度開始上漲，標(biāo)志著新一輪增長周期的開始。

甬興證券近日指出，存儲板塊目前存在三因素共振：供應(yīng)端推動NAND產(chǎn)品漲價(jià)；庫存逐漸回到正常水位；AI帶動HBM與DDR5需求上升。建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、東芯股份、江波龍、深科技、德明利等。

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