文丨徐濤雷俊成 王子源 程子盈

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美光發(fā)布今年3-5月的FY23Q3業(yè)績(jī)，管理層表示存儲(chǔ)行業(yè)的收入低谷已過(guò)，隨著行業(yè)供需平衡逐漸恢復(fù)，預(yù)計(jì)利潤(rùn)率將有所改善。此外，公司看好生成式AI帶動(dòng)AI服務(wù)器存儲(chǔ)需求超預(yù)期。

▍FYQ3營(yíng)收環(huán)比微增，營(yíng)收低谷或已過(guò)去。

美光FYQ3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收37.5億美元（公司此前預(yù)期中值為37億美元）YoY-57%、QoQ+2%；毛利率-16%，優(yōu)于此前公司指引上沿；凈虧損19.0億美元，Q2為23.1億元，環(huán)比收窄；Non-GAAP EPS -1.43美元，高于市場(chǎng)預(yù)期。公司本期減記庫(kù)存約4億美元，Q2則減計(jì)高達(dá)14.3億美元，我們認(rèn)為庫(kù)存費(fèi)用的環(huán)比大幅減少是行業(yè)景氣即將觸底的重要信號(hào)。營(yíng)收結(jié)構(gòu)方面，DRAM營(yíng)收占比71%（QoQ-2%），NAND營(yíng)收占比21%（QoQ +14%），ASP相較Q2均有所收窄。

▍FYQ4營(yíng)收指引優(yōu)于預(yù)期，F(xiàn)Y2023資本開(kāi)支及投片量指引進(jìn)一步下調(diào)。

公司指引Q4營(yíng)收39億美元，上下浮動(dòng)2億美元，中值高于市場(chǎng)預(yù)期的38.7億美元；預(yù)計(jì)Q4毛利率為-10.5%，上下浮動(dòng)2.5pcts；Non-GAAP EPS -1.19美元，上下浮動(dòng)0.07美元。公司預(yù)期23H2 DRAM和NAND比特出貨量仍將實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。FY2023資本開(kāi)支同比-40%，DRAM和NAND減產(chǎn)30%。公司預(yù)計(jì)FY2023資本開(kāi)支為70億美元，相比上年削減超40%，WFE（Fab設(shè)備）下降超50%；此外，公司將對(duì)DRAM和NAND進(jìn)一步減產(chǎn)30%并持續(xù)到2024年。

▍23H2供需格局有望改善，NAND或先于DRAM復(fù)蘇。

公司看好23H2至24年下游需求回暖趨勢(shì)，預(yù)計(jì)23年DRAM/NAND需求（按Bit）分別增長(zhǎng)中低個(gè)位數(shù)（low-to-mid single digit）和高個(gè)位數(shù)（high-single digit）；其中數(shù)據(jù)中心FYQ3云端和企業(yè)端收入連續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，生成式AI帶動(dòng)AI服務(wù)器存儲(chǔ)需求超預(yù)期；PC端公司預(yù)期CY23出貨同比下滑低兩位數(shù)（low-double digit）；智能手機(jī)公司預(yù)期CY23出貨同比下降中個(gè)位數(shù)（mid-single digit）；汽車(chē)端FYQ3季度收入創(chuàng)記錄，同比增長(zhǎng)高個(gè)位數(shù)（high-single digit），下半年需求可期；工業(yè)端FYQ3市場(chǎng)出現(xiàn)復(fù)蘇初步跡象，行業(yè)庫(kù)存及需求有望在CY23H2改善。供給端部分廠商調(diào)降稼動(dòng)率或Capex，我們預(yù)計(jì)存儲(chǔ)廠商庫(kù)存將在23Q2達(dá)峰并逐步下調(diào)，23H2有望趨于健康水平。

▍風(fēng)險(xiǎn)因素：

后續(xù)海外國(guó)家對(duì)華半導(dǎo)體技術(shù)限制超預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)；先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新不及預(yù)期；國(guó)際產(chǎn)業(yè)環(huán)境變化和貿(mào)易摩擦加劇風(fēng)險(xiǎn)；下游需求不及預(yù)期；廠商產(chǎn)能控制不及預(yù)期，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)。

▍投資策略：

海外大廠稼動(dòng)控制之下存儲(chǔ)供需改善，我們預(yù)計(jì)主流存儲(chǔ)價(jià)格23H2有望回暖，看好產(chǎn)業(yè)鏈公司23H2業(yè)績(jī)底部復(fù)蘇；美光近期將國(guó)內(nèi)審查對(duì)其全球營(yíng)收影響比例的預(yù)測(cè)由個(gè)位數(shù)（single digit）調(diào)升到低兩位數(shù)（low-double digit），我們認(rèn)為或有望加速存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)，同時(shí)龍頭外延布局競(jìng)爭(zhēng)壁壘進(jìn)一步提升，成長(zhǎng)潛力大，建議關(guān)注：1）存儲(chǔ)模組；2）存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)；3）存儲(chǔ)配套芯片。

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